德国WEP 型 号 CVP21
2017-04-06 15:48:28   来源: 瞬渺市场部   评论:0 点击:

厂 商 德国WEP型 号 CVP21到货日期 2011年3月1,主要特点及用途电化学 ECV主要用于半导体材料的研究及开发,其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。此外,也是分析或发展半导体光

厂 商 德国WEP
型 号 CVP21
到货日期 2011年3月

1,主要特点及用途
电化学 ECV主要用于半导体材料的研究及开发,其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。此外,也是分析或发展半导体光-电化学湿法蚀刻(PEC Etching)很好的选择。
此设备可监控掺杂浓度、电学活性掺杂浓度、掺杂类型(N型或 P型),可测量剖面深度,
深度分辨率打到 1纳米水平,可分离多层薄膜的测量数据,可以分析晶圆形貌,并且制样方便,无须预先机械或蚀刻准备。

2,设备技术指标
1) 应用范围
* IV族化合物半导体如:硅(Si)、锗(Ge)、碳化硅(SiC)
* III-V族化合物半导体如:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)
* 多元III-V族化合物半导体如:铝镓砷(AlGaAs)、镓铟磷(GaInP)、铝铟砷
(AlInAs)
* II-VI族化合物半导体如:氧化锌(ZnO)、碲化镉(CdTe)、汞镉碲(HgCdTe)
2) 样品形态
多层结构的薄膜材料、基底没有限制(基底导电或绝缘均可)、标准样品尺寸从 4×2mm~ 8 英寸晶圆。
3) 分辨率范围
* 载流子浓度分辨率范围从1012cm-3~1021cm-3
* 深度分辨率范围从 1nm~100um (依样品类型、样品质量决定)

3,样品要求
面积不要太小,大致2cm*2cm
厚度无具体要求

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