少子寿命测试仪性能参数?
2017-02-23 10:01:08   来源: 瞬渺市场部   评论:0 点击:

少子寿命测试仪性能参数?测量原理:QSSPC(准稳态光电导);少子寿命测量范围:100 ns-10 ms;测试模式:QSSPC,瞬态,寿命归一化分析;电阻率测量范围:3–600 (undoped) Ohms sq ;注入范围:1013-1
少子寿命测试仪性能参数? 
  1. 测量原理:QSSPC(准稳态光电导); 
  2. 少子寿命测量范围:100 ns-10 ms;
  3. 测试模式:QSSPC,瞬态,寿命归一化分析;
  4. 电阻率测量范围:3–600 (undoped) Ohms/sq.;
  5. 注入范围:1013-1016cm-3;
  6. 感测器范围:直径40-mm;
  7. 测量样品规格:标准直径: 40–210 mm (或更小尺寸);
  8. 硅片厚度范围:10–2000  μm;
  9. 外界环境温度:20°C–25°C;
  10. 功率要求:测试仪: 40 W ,  电脑控制器:200W ,光源:60W;
  11. 通用电源电压:100–240 VAC 50/60 Hz;

相关热词搜索:少子 性能参数 测试仪

上一篇:准稳态光电导衰减法(QSSPC)和微波光电导衰减法(MWPCD)的比较?
下一篇:少子寿命测试仪 WCT-120测试硅片

分享到: 收藏